1N5528DE3和JAN1N5528D-1

对比图

型号 1N5528DE3 JAN1N5528D-1 1N5528DTR

描述 DO-35 8.2V 0.5W(1/2W)低电压表面贴装500 mW的雪崩二极管 Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche DiodesDO-35 8.2V 0.5W(1/2W)

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

耗散功率 500 mW - 500 mW

稳压值 8.2 V 8.2 V 8.2 V

容差 - ±1 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

产品生命周期 Active Active Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 - -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -