BS62LV4006SIG55和BS62LV4006SIP55

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BS62LV4006SIG55 BS62LV4006SIP55

描述 VeryLow Power CMOS SRAM 512K X 8Bit512k x 8位低功耗/低电压 COMS SRAM,工业级温度范围

数据手册 --

制造商 BSI BSI

分类

基础参数对比

封装 SOP SOP

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 32

封装 SOP SOP

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 - Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

存取时间 - 55 ns

内存容量 - 500000 B

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

电源电压 - 2.4V ~ 5.5V

电源电压(Max) - 5.5 V

电源电压(Min) - 2.4 V

工作温度 - -40℃ ~ 85℃

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