对比图
型号 2N7002KW 2N7002PW,115
描述 ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 2N7002KW, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装Nexperia Si N沟道 MOSFET 2N7002PW,115, 310 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-323 (SC-70)封装
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) Nexperia (安世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 SOT-323-3 SOT-323-3
针脚数 3 3
漏源极电阻 1.6 Ω 1 Ω
耗散功率 0.3 W 260 mW
阈值电压 2.1 V 1.75 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) 50pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 300 mW 260 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 350 mW 260mW (Ta)
极性 - -
通道数 - 1
输入电容 - 30 pF
漏源击穿电压 - 60 V
上升时间 - 4 ns
下降时间 - 5 ns
长度 2.92 mm 2.2 mm
宽度 1.3 mm 1.35 mm
高度 1.2 mm 1 mm
封装 SOT-323-3 SOT-323-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅
REACH SVHC标准 - -
REACH SVHC版本 - -