DTD114EKT146和PBRN113ET,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTD114EKT146 PBRN113ET,215 PDTC123ET@215

描述 ROHM  DTD114EKT146  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SC-59NXP  PBRN113ET,215  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 40 V, 600 mA, 1 kohm, 1 kohm, 1 电阻比率, SOT-23Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3Pin TO-236AB T/R

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-236

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 200 mW 0.57 W -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 40 V -

集电极最大允许电流 500mA 700mA -

最小电流放大倍数(hFE) 56 @50mA, 5V 180 @300mA, 5V -

额定功率(Max) 200 mW 250 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 200 mW 570 mW -

额定电压(DC) 50.0 V - -

额定电流 500 mA - -

额定功率 0.2 W - -

增益带宽 200 MHz - -

长度 2.9 mm 3 mm -

宽度 1.6 mm 1.4 mm -

高度 1.1 mm 1 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-236

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -

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