IR2108S和IR2108SPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IR2108S IR2108SPBF IR2108STRPBF

描述 600V Half Bridge Driver IC with typical 0.2A source and 0.35A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead PDIP, 14 Lead SOIC, and 14 Lead PDIP.INFINEON  IR2108SPBF  芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, 低/高压侧, NSOIC-16 新P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 20.0V (max) 10.0V (min) 10.0V (min)

上升/下降时间 150ns, 50ns 150ns, 50ns 150ns, 50ns

输出接口数 2 2 2

输出电流 - 200 mA -

针脚数 - 8 -

耗散功率 - 625 mW 625 mW

上升时间 - 220 ns 150 ns

下降时间 - 80 ns 50 ns

下降时间(Max) 80 ns 80 ns 80 ns

上升时间(Max) 220 ns 220 ns 220 ns

工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - 625 mW 625 mW

电源电压 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V

电源电压(Max) - 20 V -

电源电压(Min) - 10 V -

输出电压 ≤20.0 V - -

产品系列 IR2108 - -

静态电流 - - 1 mA

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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