LM385BDR-1-2和LM385BDR-1.2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM385BDR-1-2 LM385BDR-1.2 LM385BMX-1.2/NOPB

描述 TEXAS INSTRUMENTS  LM385BDR-1-2  芯片, 电压基准, 1.235VMICROPOWER VOLTAGE REFERENCESLM185-1.2 -N / LM285-1.2 -N / LM385-1.2 -N微功耗电压基准二极管 LM185-1.2-N/LM285-1.2-N/LM385-1.2-N Micropower Voltage Reference Diode

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 TSSOP SOIC-8

输出电压 1.235 V 1.20 V 1.235 V

输出电流 20 mA 20.0 mA, 20.0 mA (max) 20 mA

供电电流 20.0 mA 20.0 mA -

通道数 1 1 1

容差 ±1 % - ±1 %

针脚数 8 - -

输出电压(Max) 1.235 V - 1.235 V

输出电压(Min) 1.235 V - 1.235 V

输出电流(Max) 20 mA - 20 mA

工作温度(Max) 70 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 0 ℃

精度 ±1 % - 2 %

封装 SOIC-8 TSSOP SOIC-8

长度 4.9 mm - -

宽度 3.91 mm - -

高度 1.58 mm - -

温度系数 ±20 ppm/℃ ±20.0 ppm/℃ ±150 ppm/℃

工作温度 0℃ ~ 70℃ - 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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