对比图
型号 FR4 MGSF3454VT1 IRFR4620TRLPBF
描述 Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, DPAK-3功率MOSFET4安培，30伏特N沟道TSOP-6这些微型表面贴装MOSFET的低RDS（ON）保证最小的功率损耗，节约能源，使这些设备的理想选择用于在小的电源管理电路。典型的应用是DC-DC转换器，电源管理在便携式..HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 6 3
封装 - TSOP TO-252-3
额定功率 - - 144 W
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.064 Ω
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 - - 144 W
阈值电压 - - 5 V
输入电容 - - 1710 pF
漏源极电压(Vds) - 30.0 V 200 V
连续漏极电流(Ids) - 4.20 A 24A
上升时间 - - 22.4 ns
输入电容(Ciss) - - 1710pF @50V(Vds)
额定功率(Max) - - 144 W
下降时间 - - 14.8 ns
工作温度(Max) - - 175 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 144W (Tc)
额定电压(DC) - 30.0 V -
长度 - - 6.73 mm
宽度 - - 7.49 mm
高度 - - 2.39 mm
封装 - TSOP TO-252-3
工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 - - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - - Lead Free