对比图
型号 IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRRPBF IRF3710ZSPBF
描述 晶体管, MOSFET, HEXFET®, N沟道, 59 A, 100 V, 0.014 ohm, 10 V, 4 VD2PAK N-CH 100V 59AINFINEON IRF3710ZSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 100 V, 18 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定功率 160 W 160 W 160 W
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.014 Ω - 0.018 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 160 W 160W (Tc) 160 W
阈值电压 4 V - 4 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 59A 59A 59A
上升时间 77 ns 77 ns 77 ns
输入电容(Ciss) 2900pF @25V(Vds) 2900pF @25V(Vds) 2900pF @25V(Vds)
下降时间 56 ns 56 ns 56 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 160W (Tc) 160W (Tc) 160W (Tc)
产品系列 - IRF3710ZS -
输入电容 2900 pF - -
额定功率(Max) 160 W - -
长度 10.67 mm - 10.67 mm
宽度 - - 9.65 mm
高度 - - 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon Silicon -
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17