IS62WV5128BLL-55QLI和R1LV0408DSA-5SI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS62WV5128BLL-55QLI R1LV0408DSA-5SI CY62148DV30LL-55SXI

描述 静态随机存取存储器 4M (512Kx8) 55ns Async 静态随机存取存储器4M SRAM( 512千字】 8位)的 4M SRAM (512-kword 】 8-bit)CY62148DV30 系列 4 Mb (512 K x 8) 2.2 - 3.6 V 55 ns 静态RAM - TSOP II-32

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Renesas Electronics (瑞萨电子) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 32 32 32

封装 SOP-32 TSOP SOIC-32

频率 - - 1 MHz

位数 8 - 8

存取时间 55 ns - 55 ns

存取时间(Max) 55 ns - 55 ns

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

电源电压 2.5V ~ 3.6V 3 V 2.2V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V - 3.6 V

电源电压(Min) 2.5 V - 2.2 V

内存容量 500000 B 500000 B -

封装 SOP-32 TSOP SOIC-32

重量 - - 0.0122574274252 kg

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) - -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Each - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 - Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - 3A991.b.2.a

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