GS71116AGP-8I和K6R1016V1D-TI08

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GS71116AGP-8I K6R1016V1D-TI08 KM616V1002BTI-8

描述 SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-Bit 64K x 16 8ns 44Pin TSOP-II64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating) Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.Standard SRAM, 64KX16, 8ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

数据手册 ---

制造商 GSI Samsung (三星) Samsung (三星)

分类 RAM芯片

基础参数对比

封装 TSOP-2 TSOP-2 TSOP-2

封装 TSOP-2 TSOP-2 TSOP-2

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tray - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 PB free - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台