对比图
型号 BUK7515-100A PSMN015-100P,127 PSMN009-100P,127
描述 的TrenchMOS晶体管标准水平FET TrenchMOS transistor Standard level FET晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 VTO-220AB N-CH 100V 75A
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 100 V - -
额定电流 75.0 A - -
极性 N-CH - N-Channel
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 75A - 75A
上升时间 85 ns 65 ns -
输入电容(Ciss) 4500pF @25V(Vds) 4900pF @25V(Vds) 8250pF @25V(Vds)
下降时间 70 ns 50 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300000 mW 300W (Tc) 230W (Tc)
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.012 Ω 7.5 Ω
耗散功率 - 300 W 230 W
阈值电压 - 3 V 3 V
输入电容 - 4900 pF -
额定功率(Max) - 300 W 230 W
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Rail, Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
材质 - Silicon -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)