对比图
型号 P6SMB16CAT3G SM6T15CA P6SMB16CAT3
描述 600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器，P6SMB 系列（双向）ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器，On SemiconductorTransil™ TVS SMT 双向 600W，SM6T 系列，STMicroelectronics ### 瞬态电压抑制器，STMicroelectronics600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 2 2 2
封装 DO-214AA DO-214AA DO-214AA
击穿电压 15.2 V 15 V 15.2 V
耗散功率 - 600 W 600 W
钳位电压 22.5 V 27.2 V 22.5 V
最大反向电压（Vrrm） 13.6V 12.8V 13.6V
测试电流 1 mA 1 mA 1 mA
脉冲峰值功率 600 W 600 W 600 W
最小反向击穿电压 15.2 V 14.3 V 15.2 V
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ 65 ℃
工作结温 -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃
额定电压(DC) - 15.0 V -
工作电压 - 15.0 V -
电容 - 1.9 nF -
额定功率 - 600 W -
电路数 1 1 -
针脚数 - 2 -
最大反向击穿电压 16.8 V 15.8 V -
最大正向浪涌电流（Ifsm） - 100 A -
击穿电压 15.2 V 14.3 V -
封装 DO-214AA DO-214AA DO-214AA
长度 4.6 mm 4.6 mm -
宽度 3.95 mm 3.95 mm -
高度 2.28 mm 2.45 mm -
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 - No SVHC -
军工级 - Yes -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -