IS42S16800F-7BLI和IS42VM16800G-6BLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S16800F-7BLI IS42VM16800G-6BLI IS42S16800E-7BLI

描述 动态随机存取存储器 128M 8Mx16 143Mhz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V动态随机存取存储器 128M (8Mx16) 166MHz 1.8V Mobile SDRSynchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-54

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 54 54 54

封装 BGA-54 BGA-54 TFBGA-54

供电电流 100 mA 60 mA 130 mA

存取时间 5.4 ns 5.5 ns 5.4 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

电源电压 3V ~ 3.6V 1.7V ~ 1.95V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V - 3.6 V

电源电压(Min) 3 V - 3 V

位数 16 - -

存取时间(Max) 5.4 ns - -

封装 BGA-54 BGA-54 TFBGA-54

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

ECCN代码 EAR99 - -

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