CY7C1354B-166BZC和CY7C1354C-166BZC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1354B-166BZC CY7C1354C-166BZC CY7C1354B-166BZI

描述 9 -MB ( 256K ×36 / 512K ×18 )流水线SRAM与NOBL架构 9-Mb (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture9兆位( 256K ×36 / 512K ×18 )流水线SRAM与NoBL⑩架构 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture9 -MB ( 256K ×36 / 512K ×18 )流水线SRAM与NOBL架构 9-Mb (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片

基础参数对比

引脚数 - 165 -

封装 TBGA FBGA-165 TBGA

安装方式 Surface Mount - -

供电电流 - 180 mA -

时钟频率 - 166 MHz -

存取时间 - 3.5 ns -

存取时间(Max) - 3.5 ns -

电源电压 - 3.135V ~ 3.6V -

封装 TBGA FBGA-165 TBGA

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ (TA) -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 - Tray -

RoHS标准 - -

含铅标准 - -

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