AD8510ARZ和OPA192IDR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AD8510ARZ OPA192IDR TLE2061AID

描述 ANALOG DEVICES  AD8510ARZ  芯片, 运算放大器TEXAS INSTRUMENTS  OPA192IDR  运算放大器, 单路, 10 MHz, 1个放大器, 20 V/µs, ± 2.25V 至 ± 18V, 4.5V 至 36V, SOIC, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS  TLE2061AID  运算放大器, 单路, 1.8 MHz, 1个放大器, 3.4 V/µs, ± 3.5V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 2.2 mA 1 mA 290 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

针脚数 8 8 8

共模抑制比 100 dB 120 dB 65 dB

输入电容 12.5 pF - -

带宽 8 MHz 10 MHz 1.8 MHz

转换速率 20.0 V/μs 20.0 V/μs 3.40 V/μs

增益频宽积 8 MHz 10 MHz 1.8 MHz

输入阻抗 1.25 TΩ - -

输入补偿电压 100 µV 5 µV 500 µV

输入偏置电流 25 pA 5 pA 4 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 8 MHz - 2 MHz

共模抑制比(Min) 86 dB 100 dB 65 dB

电源电压(Max) 15 V 36 V -

电源电压(Min) 5 V 4.5 V -

电源电压(DC) - - 18.0 V

输出电流 - - ≤80 mA

输入补偿漂移 - 150 nV/K 6.00 µV/K

长度 5 mm - 4.9 mm

宽度 4 mm - 3.91 mm

高度 1.5 mm - 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

军工级 No - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/06/15

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