BZV49C11TR和BZV49-C11,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV49C11TR BZV49-C11,115

描述 DIODE 11 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-243AA, PLASTIC, SC-62, TO-243, 3 PIN, Voltage Regulator DiodeSOT-89 11V 1W

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-89 SOT-89-3

容差 - ±5 %

正向电压 - 1V @50mA

耗散功率 - 1 W

测试电流 - 5 mA

稳压值 - 11 V

正向电压(Max) - 1V @50mA

额定功率(Max) - 1 W

耗散功率(Max) - 1000 mW

额定电压(DC) 11.0 V -

额定功率 1.00 W -

封装 SOT-89 SOT-89-3

工作温度 - -65℃ ~ 150℃

温度系数 - 7.4 mV/K

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape, Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台