IXTP50N085T和IXTY50N085T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTP50N085T IXTY50N085T IXTP55N075T

描述 Trans MOSFET N-CH 85V 50A 3Pin(3+Tab) TO-220Trans MOSFET N-CH 85V 50A 3Pin(2+Tab) TO-252AATrans MOSFET N-CH 75V 55A 3Pin(3+Tab) TO-220AB

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 - -

封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-220-3

耗散功率 130W (Tc) 130 W 130W (Tc)

漏源极电压(Vds) 85 V 85 V 75 V

上升时间 32 ns 32 ns -

输入电容(Ciss) 1460pF @25V(Vds) 1460pF @25V(Vds) 1400pF @25V(Vds)

下降时间 33 ns 33 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 130W (Tc) 130W (Tc) 130W (Tc)

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 23 mΩ -

漏源击穿电压 - 85 V -

封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-220-3

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.38 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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