BLF6G22LS-100和BLF6G22LS-100,112

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLF6G22LS-100 BLF6G22LS-100,112 BLF6G22LS-100,118

描述 功率LDMOS晶体管 Power LDMOS transistorTrans RF MOSFET N-CH 65V 29A 3Pin SOT-502B BulkBlf6g22ls-100 - 功率Ldmos晶体管

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Ampleon USA NXP (恩智浦)

分类 晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT502B SOT-502 SOT502B

引脚数 - 3 -

频率 - 2.11GHz ~ 2.17GHz 2.11 GHz

额定电流 - 29 A 29 A

输出功率 - 25 W 25 W

增益 - 18.2 dB 18.5 dB

测试电流 - 950 mA 950 mA

工作温度(Max) 225 ℃ 225 ℃ 225 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

额定电压 - 65 V -

封装 SOT502B SOT-502 SOT502B

高度 - 4.72 mm -

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Tube - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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