FDS8817NZ和IRF8736PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS8817NZ IRF8736PBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8817NZ  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 30 V, 0.0054 ohm, 10 V, 1.8 VINFINEON  IRF8736PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 4.8 mohm, 10 V, 1.8 V

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

针脚数 8 8

漏源极电阻 0.0054 Ω 0.0048 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W

阈值电压 1.8 V 1.8 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 15.0 A 18A

上升时间 13 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 2400pF @15V(Vds) 2315pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 2.5 W

下降时间 7 ns 7.5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

产品系列 - -

输入电容 - -

额定功率 - 2.5 W

通道数 - 1

正向电压(Max) - 1 V

长度 5 mm 5 mm

宽度 4 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 -

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