对比图
型号 IXFA10N60P IXFP10N60P IXTI10N60P
描述 D2PAK N-CH 600V 10AIXYS SEMICONDUCTOR IXFP10N60P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 740 mohm, 10 V, 5.5 VTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3Pin(2+Tab) D2PAK
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管中高压MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-262-3
引脚数 - 3 -
额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V
额定电流 10.0 A 10.0 A 10.0 A
通道数 1 - -
漏源极电阻 740 mΩ 0.74 Ω -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 200 W 200 W 200W (Tc)
输入电容 1.61 nF 1.61 nF 1.61 nF
栅电荷 32.0 nC 32.0 nC 32.0 nC
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V 600 V -
连续漏极电流(Ids) 10.0 A 10.0 A 10.0 A
上升时间 27 ns 27 ns -
输入电容(Ciss) 1610pF @25V(Vds) 1610pF @25V(Vds) 1610pF @25V(Vds)
下降时间 21 ns 21 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 200W (Tc) 200000 mW 200W (Tc)
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 5.5 V -
反向恢复时间 - 200 ns -
额定功率(Max) - 200 W -
长度 9.9 mm 10.66 mm -
宽度 9.2 mm 4.83 mm -
高度 4.5 mm 9.15 mm -
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -