对比图
型号 FDS6575 MMSF2P02ER2 FDS4435BZ
描述 ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDS6575, 10 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装SOIC P-CH 20V 2.5A汽车 P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 - 8
封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.0085 Ω - 0.016 Ω
耗散功率 2.5 W - 2.5 W
阈值电压 600 mV - 2.1 V
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 30 V
上升时间 9 ns - 6 ns
正向电压(Max) - - 1.2 V
输入电容(Ciss) 4951pF @10V(Vds) - 1365pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 1.2 W - 1 W
下降时间 78 ns - 12 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 2500 mW - 2500 mW
极性 - P-CH -
连续漏极电流(Ids) - 2.5A -
长度 5 mm - 5 mm
宽度 4 mm - 4 mm
高度 1.5 mm - 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free