对比图
型号 IRLL024NPBF PHT8N06LT NDT3055L
描述 N 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。NXP PHT8N06LT 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 55 V, 80 mohm, 5 V, 1.5 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDT3055L 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1.6 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 4
封装 TO-261-4 SOT-223 TO-261-4
针脚数 3 3 4
漏源极电阻 0.065 Ω 80 mΩ 0.07 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.1 W 8.3 W 3 W
阈值电压 2 V 1.5 V 1.6 V
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 4.4A 5.50 A 4.00 A
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
额定电压(DC) - - 60.0 V
额定电流 - - 3.50 A
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - - 60 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
上升时间 21 ns - 7.5 ns
输入电容(Ciss) 510pF @25V(Vds) - 345pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 1.1 W
下降时间 25 ns - 7 ns
工作温度(Min) -55 ℃ - -65 ℃
耗散功率(Max) 1W (Ta) - 3000 mW
额定功率 2.1 W - -
封装 TO-261-4 SOT-223 TO-261-4
长度 6.7 mm - 6.5 mm
宽度 3.7 mm - 3.5 mm
高度 1.7 mm - 1.6 mm
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tube Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
含铅标准 Lead Free - Lead Free
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -65℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
ECCN代码 - - EAR99
香港进出口证 - - NLR