IXTA50N20P和IXTP50N20P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTA50N20P IXTP50N20P IXTQ50N20P

描述 D2PAK N-CH 200V 50AN 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备TO-3P N-CH 200V 50A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-3-3

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 360 W 360 W 360 W

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 50A 50A 50A

上升时间 35 ns 35 ns 35 ns

输入电容(Ciss) 2720pF @25V(Vds) 2720pF @25V(Vds) 2720pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 360 W 360 W 360 W

下降时间 30 ns 30 ns 30 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 360W (Tc) 360000 mW 360W (Tc)

通道数 1 - -

漏源极电阻 60 mΩ - -

阈值电压 5 V - -

漏源击穿电压 200 V - -

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-3-3

长度 9.65 mm 10.66 mm -

宽度 10.41 mm 4.83 mm -

高度 4.83 mm 9.15 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

香港进出口证 - NLR -

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