对比图
型号 IRFW830BTM SIHD5N50D-E3 NTE2398
描述 Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RMOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPKNTE ELECTRONICS NTE2398 场效应管, MOSFET, N沟道, 500V, 4.5A TO-220
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix NTE Electronics
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 - - 3
封装 D2PAK TO-252-3 TO-220
额定电压(DC) - - 500 V
针脚数 - - 3
漏源极电阻 1.50 Ω - 1.5 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 3.13 W 104W (Tc) 74 W
阈值电压 - - 4 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V - 500V (min)
连续漏极电流(Ids) 4.50 A - 4.50 A
上升时间 - - 16.0 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
输入电容(Ciss) - 325pF @100V(Vds) -
耗散功率(Max) - 104W (Tc) -
封装 D2PAK TO-252-3 TO-220
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - 无铅 Lead Free
ECCN代码 EAR99 - EAR99
HTS代码 - - 85412900951
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -