IS43LR32200B-6BLI-TR和IS43LR32200C-6BLI-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS43LR32200B-6BLI-TR IS43LR32200C-6BLI-TR

描述 动态随机存取存储器 64M (2Mx32) 166MHz MDDR 1.8v动态随机存取存储器 64M, 1.8V, M-DDR 2Mx32, 166Mhz, RoHS

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 BGA-90 TFBGA-90

引脚数 - 90

存取时间 6 ns 5.5 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V

位数 - 32

存取时间(Max) - 6 ns

封装 BGA-90 TFBGA-90

高度 - 0.8 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台