对比图
型号 PSMN1R6-40YLC:115 PSMN1R6-40YLC,115
描述 LFPAK N-CH 40V 100AMOSFET N-CH 40V 100A LFPAK-SO8
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-1023 SO-8
极性 N-CH -
耗散功率 288W (Tc) 288W (Tc)
阈值电压 1.46 V -
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 100A -
上升时间 48 ns -
输入电容(Ciss) 7790pF @20V(Vds) 7790pF @20V(Vds)
额定功率(Max) 288 W -
下降时间 42 ns -
耗散功率(Max) 288W (Tc) 288W (Tc)
封装 SOT-1023 SO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free