对比图
型号 APT10025JVFR IXFN34N100 APT10026JFLL
描述 Trans MOSFET N-CH 1kV 34A 4Pin SOT-227SOT-227B N-CH 1000V 34ASOT-227 N-CH 1000V 30A
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Screw Chassis Screw
引脚数 4 - 4
封装 SOT-227 SOT-227-4 SOT-227
额定电压(DC) 1.00 kV - 1.00 kV
额定电流 34.0 A - 30.0 A
耗散功率 700 W 700 W 595 W
输入电容 18.0 nF - 7.11 nF
栅电荷 990 nC - 267 nC
漏源极电压(Vds) 1.00 kV 1000 V 1.00 kV
连续漏极电流(Ids) 34.0 A 34A 30.0 A
上升时间 20 ns 65 ns 8 ns
输入电容(Ciss) 15000pF @25V(Vds) 9200pF @25V(Vds) 7114pF @25V(Vds)
下降时间 16 ns 30 ns 9 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 700000 mW 700W (Tc) 595000 mW
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 280 mΩ -
极性 - N-CH N-CH
漏源击穿电压 - 1000 V -
额定功率(Max) - 700 W -
封装 SOT-227 SOT-227-4 SOT-227
长度 - 38.2 mm -
宽度 - 25.07 mm -
高度 - 9.6 mm -
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -