71V416S10BEI和IDT71V416YS10BEGI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V416S10BEI IDT71V416YS10BEGI IDT71V416YFS10BEI

描述 SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 48Pin CABGA3.3V CMOS静态RAM 4 MEG ( 256K ×16位) 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit)Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, POWER, BGA-48

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片

基础参数对比

封装 TFBGA TFBGA TFBGA

安装方式 Surface Mount - -

封装 TFBGA TFBGA TFBGA

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 Tray - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

ECCN代码 - 3A991 -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ - -

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