对比图
型号 SI4466DY SI4466DY-T1-E3 DMN2009LSS-13
描述 单N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFETTrans MOSFET N-CH 20V 9.5A 8Pin SOIC N T/RTrans MOSFET N-CH 20V 12A 8Pin SOP T/R
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix Diodes (美台)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SO-8 SOIC-8 SOP-8
漏源极电阻 6.00 mΩ 9.00 mΩ -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 2.5 W 1.5W (Ta) 2 W
漏源击穿电压 20.0 V 20.0 V -
栅源击穿电压 ±12.0 V ±12.0 V -
连续漏极电流(Ids) 15.0 A 13.5 A 12A
上升时间 27 ns 15 ns -
下降时间 35 ns 70 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
输入电容 - - 2555 pF
漏源极电压(Vds) - 20 V 20 V
输入电容(Ciss) - - 2555pF @10V(Vds)
额定功率(Max) - - 2 W
耗散功率(Max) - 1.5W (Ta) 2000 mW
长度 4.9 mm - 4.95 mm
宽度 3.9 mm - 4.25 mm
高度 1.75 mm - 0.56 mm
封装 SO-8 SOIC-8 SOP-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC