MUN5331DW1T1G和MUN5335DW1T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5331DW1T1G MUN5335DW1T1G PUMD10

描述 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor TransistorsON SEMICONDUCTOR  MUN5335DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm, 0.47 电阻比率, SOT-363NXP  PUMD10  双极晶体管阵列, BRT, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-363

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SC-88-6 SC-70-6 SOT-363

针脚数 - - 6

极性 NPN+PNP NPN, PNP NPN, PNP

耗散功率 187 mW 187 mW 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 8 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V 100

直流电流增益(hFE) - 140 100

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V -

额定电流 100 mA 100 mA -

最大电流放大倍数(hFE) 8 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V -

额定功率(Max) 250 mW 250 mW -

耗散功率(Max) 385 mW 385 mW -

通道数 2 - -

长度 2 mm 2 mm 2.2 mm

宽度 1.25 mm 1.25 mm 1.35 mm

高度 0.9 mm 0.9 mm 1 mm

封装 SC-88-6 SC-70-6 SOT-363

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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