IS61QDB22M18-250M3L和IS61QDB22M18A-250M3LI

对比图

型号 IS61QDB22M18-250M3L IS61QDB22M18A-250M3LI IS61QDB22M18A-250M3L

描述 DDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17MM, 1MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-165SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 2M x 18 0.45ns 165Pin FBGA静态随机存取存储器 36Mb 2Mx18 250Mhz QUAD Sync 静态随机存取存储器

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

供电电流 700 mA 950 mA -

位数 18 18 -

存取时间 0.45 ns 0.45 ns -

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 40 ℃ 0 ℃

电源电压 1.71V ~ 1.89V 1.71V ~ 1.89V 1.71V ~ 1.89V

电源电压(Max) - 1.9 V -

电源电压(Min) - 1.7 V -

电源电压(DC) 1.80 V, 1.89 V (max) - -

时钟频率 250MHz (max) - -

内存容量 36000000 B - -

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 EAR99 - -