对比图
型号 262.5 DN2625DK6-G DN2625K4-G
描述 1.1A, 250V, 3.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252DN2625 N 通道 MOSFET 晶体管Microchip DN2625 是低阈值消耗模式（常开）MOSFET 晶体管，采用高级垂直 DMOS 结构。 该设计将 Bipolar 晶体管的功率处理能力与高输入阻抗和正温度系数 MOS 设备相结合。### 特点低栅极阈值电压 设计用于电源驱动 低切换损耗 低有效输出电容 设计用于电感性负载 ### MOSFET 晶体管，Microchip晶体管, MOSFET, N沟道, 1.1 A, 250 V, 3.5 ohm, 0 V
数据手册 ---
制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 8 3
封装 - DFN-8 TO-252-3
通道数 - 2 -
漏源极电阻 - 3.5 Ω 3.5 Ω
漏源极电压(Vds) - 250 V 250 V
漏源击穿电压 - 250 V -
上升时间 - 20 ns 20 ns
输入电容(Ciss) - 800pF @25V(Vds) 1000pF @25V(Vds)
下降时间 - 20 ns 20 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
额定功率 - - 2.5 W
针脚数 - - 3
耗散功率 - - -
长度 - 5.1 mm -
宽度 - 5.1 mm -
高度 - 0.85 mm -
封装 - DFN-8 TO-252-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Unknown
包装方式 - Tray Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free