SS8550DBU和SS8550DTA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SS8550DBU SS8550DTA

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  SS8550DBU  单晶体管 双极, PNP, -25 V, 200 MHz, 1 W, -1.5 A, 160 hFEFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  SS8550DTA  单晶体管 双极, PNP, -25 V, 200 MHz, 1 W, -1.5 A, 160 hFE

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-92-3 TO-226-3

频率 200 MHz -

额定电压(DC) -25.0 V -25.0 V

额定电流 -1.50 A -1.50 A

额定功率 1 W 1 W

针脚数 3 3

极性 PNP PNP

耗散功率 1 W 1 W

击穿电压(集电极-发射极) 25 V 25 V

集电极最大允许电流 1.5A 1.5A

最小电流放大倍数(hFE) 160 @100mA, 1V 160 @100mA, 1V

最大电流放大倍数(hFE) 300 -

额定功率(Max) 1 W 1 W

直流电流增益(hFE) 160 160

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1 W

长度 4.7 mm -

宽度 3.93 mm -

高度 5.33 mm 5.33 mm

封装 TO-92-3 TO-226-3

材质 Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Bulk Box

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99

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