对比图
型号 IXFH86N30T IXTQ80N28T
描述 N沟道 300V 86ATrans MOSFET N-CH 280V 80A 3Pin(3+Tab) TO-3P
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-247-3 TO-3-3
引脚数 3 -
耗散功率 830 W 500W (Tc)
漏源极电压(Vds) 300 V 280 V
输入电容(Ciss) 11300pF @25V(Vds) 5000pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 860W (Tc) 500W (Tc)
极性 N-CH -
阈值电压 5 V -
连续漏极电流(Ids) 86A -
上升时间 18 ns -
下降时间 15 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
封装 TO-247-3 TO-3-3
长度 16.26 mm -
宽度 5.3 mm -
高度 21.46 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free