IRF7316和IRF7316TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7316 IRF7316TRPBF AUIRF7316Q

描述 2个P沟道 30V 4.9AINFINEON  IRF7316TRPBF  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.9 A, -30 V, 0.042 ohm, -10 V, -1 VINFINEON  AUIRF7316Q  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.9 A, -30 V, 0.042 ohm, -10 V, -1 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.042 Ω 0.042 Ω

极性 Dual P-Channel Dual P-Channel P-CH

耗散功率 - 2 W 2 W

漏源极电压(Vds) 30.0 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 4.90 A 4.9A 4.9A

上升时间 13 ns 13 ns 13 ns

输入电容(Ciss) 710pF @25V(Vds) 710pF @25V(Vds) 710pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 2 W 2 W

下降时间 32 ns 32 ns 32 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW 2 W 2000 mW

额定功率 - 2 W -

阈值电压 - 1 V -

输入电容 - 710 pF -

额定电压(DC) -30.0 V - -

额定电流 -4.90 A - -

产品系列 IRF7316 - -

漏源击穿电压 -30.0 V - -

长度 - 5 mm 4.9 mm

宽度 - 4 mm 3.9 mm

高度 - 1.5 mm 1.75 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

材质 - - Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

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