NTJD4401NT1G和NTJD4401NT2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTJD4401NT1G NTJD4401NT2 NTJD4401NT4G

描述 ON SEMICONDUCTOR  NTJD4401NT1G  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 630 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 920 mV小信号MOSFET 20 V ,双N沟道, SC -88 ESD保护 Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection小信号MOSFET 20 V ,双N沟道, SC -88 ESD保护 Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SC-70-6 SOT-363 SC-88-6

引脚数 6 - -

额定电压(DC) 20.0 V 20.0 V 20.0 V

额定电流 630 mA 775 mA 775 mA

通道数 2 - 2

漏源极电阻 0.29 Ω 510 mΩ 510 mΩ

极性 N-Channel, Dual N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 270 mW 270 mW 270 mW

输入电容 33pF @20V 46.0 pF 46.0 pF

栅电荷 - 3.00 nC 3.00 nC

漏源极电压(Vds) 20 V - 20 V

漏源击穿电压 27 V 20.0 V 20 V

栅源击穿电压 ±12.0 V ±12.0 V ±12.0 V

连续漏极电流(Ids) 630 mA 630 mA 630 mA

上升时间 227 ns - 227 ns

输入电容(Ciss) 46pF @20V(Vds) - 46pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 270 mW - 270 mW

下降时间 506 ns - 227 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃

针脚数 6 - -

阈值电压 920 mV - -

反向恢复时间 410 ns - -

正向电压(Max) 1.1 V - -

工作结温 -55℃ ~ 150℃ - -

耗散功率(Max) 550 mW - -

长度 2.2 mm - 2 mm

宽度 1.35 mm - 1.25 mm

高度 1 mm - 0.9 mm

封装 SC-70-6 SOT-363 SC-88-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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