IRLL014N和IRLL014NPBF的区别_IRLL014N代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLL014N IRLL014NPBF STN2NF06L

描述 SOT-223 N-CH 55V 2.8AINFINEON IRLL014NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 55 V, 140 mohm, 10 V, 2 VN沟道60V - 0.1欧姆 - 2A SOT- 223 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.1 ohm - 2A SOT-223 STripFET⑩ II POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 3 4

封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223

额定功率 - 2.1 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.14 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 2.10 W 2.1 W -

阈值电压 - 2 V -

输入电容 - 230 pF -

漏源极电压(Vds) 55.0 V 55 V -

漏源击穿电压 55.0V (min) 55 V -

连续漏极电流(Ids) 2.00 A 2.8A -

上升时间 4.9 ns 4.9 ns -

输入电容(Ciss) 230pF @25V(Vds) 230pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 1 W -

下降时间 2.9 ns 2.9 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2100 mW 1W (Ta) -

额定电压(DC) 55.0 V - -

额定电流 2.00 A - -

产品系列 IRLL014N - -

长度 - 6.7 mm -

宽度 - 3.7 mm -

高度 - 1.7 mm -

封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -