对比图
型号 FQB34N20 IRFS31N20DTRLP IRFS31N20DPBF
描述 200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFETHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。N 通道功率 MOSFET 30A 至 39A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 D2PAK TO-263-3 TO-263-3
额定功率 - 200 W 200 W
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.082 Ω 0.082 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 - 3.1 W 3.1 W
阈值电压 - 5.5 V 5.5 V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 31A 31A 31A
上升时间 - 38 ns 38 ns
输入电容(Ciss) - 2370pF @25V(Vds) 2370pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 3.1 W 3.1 W
下降时间 - 10 ns 10 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 3.1W (Ta), 200W (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc)
通道数 - - 1
长度 - 10.67 mm 10.67 mm
宽度 - 9.65 mm 9.65 mm
高度 - 4.83 mm 4.83 mm
封装 D2PAK TO-263-3 TO-263-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Not Recommended for New Designs
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17