JAN1N755CUR-1和JANTX1N755CUR-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N755CUR-1 JANTX1N755CUR-1

描述 SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESSILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 -

封装 DO-213AA DO-213AA-2

容差 ±2 % ±2 %

正向电压 1.1V @200mA 1.1V @200mA

耗散功率 500 mW -

测试电流 20 mA -

稳压值 7.5 V 7.5 V

额定功率(Max) 500 mW 500 mW

工作温度(Max) 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -

封装 DO-213AA DO-213AA-2

长度 - 3.7 mm

工作温度 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Bag Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准

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