IRFP3077PBF和IRFP4368PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFP3077PBF IRFP4368PBF IRFP2907ZPBF

描述 INFINEON  IRFP3077PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.0028 ohm, 20 V, 4 VINFINEON  IRFP4368PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 350 A, 75 V, 0.00146 ohm, 20 V, 4 VINFINEON  IRFP2907ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 75 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定功率 340 W 520 W 310 W

通道数 - 1 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0028 Ω 0.00146 Ω 0.0045 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 340 W 520 W 310 W

阈值电压 4 V 4 V 4 V

输入电容 9400 pF 19230 pF -

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

漏源击穿电压 - 75 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 160A 350A 170A

上升时间 76 ns 220 ns 140 ns

输入电容(Ciss) 9400pF @50V(Vds) 19230pF @50V(Vds) 7500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 520 W -

下降时间 77 ns 260 ns 100 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 340W (Tc) 520W (Tc) 310W (Tc)

长度 15.87 mm 15.87 mm 15.9 mm

宽度 5.31 mm 5.31 mm 5.3 mm

高度 20.7 mm 20.7 mm 20.3 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

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