IRFR5305PBF和IRFR5305TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR5305PBF IRFR5305TRPBF IRFR5305TRLPBF

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFR5305PBF  场效应管, P通道, MOSFET, -55V, 31A, D-PAK 新INFINEON  IRFR5305TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -31 A, -55 V, 65 mohm, -10 V, -4 VINFINEON  IRFR5305TRLPBF  场效应管, MOSFET, P沟道, -55V, 31A, D-PAK, 整卷

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 - 89 W 89 W

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.065 Ω 0.065 Ω 65 mΩ

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 110 W 110 W 110 W

输入电容 1.20 nF - 1200 pF

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) -31.0 A 31A 31A

上升时间 66.0 ns 66 ns 66 ns

反向恢复时间 - - 71 ns

正向电压(Max) - - 1.3 V

输入电容(Ciss) 1200pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 110 W 110 W 110 W

下降时间 - 63 ns 63 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

工作结温 - - -55℃ ~ 175℃

耗散功率(Max) - 110W (Tc) 110W (Tc)

阈值电压 4 V 4 V -

额定电压(DC) -55.0 V - -

额定电流 -31.0 A - -

通道数 1 - -

产品系列 IRFR5305 - -

栅电荷 63.0 nC - -

漏源击穿电压 -55.0 V - -

长度 10.41 mm 6.73 mm 6.73 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

宽度 - 6.22 mm -

高度 2.39 mm 2.39 mm -

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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