71V016SA20YG8和IDT71V016SA20Y8

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V016SA20YG8 IDT71V016SA20Y8

描述 3.3V 64K x 16Bit Asynchronous Static RAM3.3V CMOS静态RAM 1兆欧( 64K ×16位) 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)

数据手册 --

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

封装 SOJ-44 BSOJ-44

引脚数 44 -

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

封装 SOJ-44 BSOJ-44

长度 28.6 mm -

宽度 10.2 mm -

厚度 2.90 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead

ECCN代码 - 3A991

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