对比图
型号 IRFS23N20D IRFS23N20DPBF FQB34N20LTM
描述 D2PAK N-CH 200V 24AINFINEON IRFS23N20DPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 200 V, 100 mohm, 10 V, 5.5 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB34N20LTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 200 V, 75 mohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 2
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定功率 - 170 W -
针脚数 - 3 2
漏源极电阻 - 0.1 Ω 75 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.8W (Ta), 170W (Tc) 3.8 W 180 W
阈值电压 - 5.5 V 2 V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 24.0 A 24A 31.0 A
上升时间 32.0 ns 32 ns 520 ns
输入电容(Ciss) 1960pF @25V(Vds) 1960pF @25V(Vds) 3900pF @25V(Vds)
下降时间 - 16 ns 370 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 170W (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) 3.13 W
额定电压(DC) 200 V - 200 V
额定电流 24.0 A - 31.0 A
产品系列 IRFS23N20D - -
漏源击穿电压 200 V - 200 V
输入电容 - - 3.90 nF
栅电荷 - - 72.0 nC
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
额定功率(Max) - - 3.13 W
长度 - 10.67 mm 10.67 mm
宽度 - 9.65 mm 9.65 mm
高度 - 4.83 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Bulk Rail, Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 - - EAR99