对比图
型号 6MBI100F-060 BSM100GD60DLC MWI100-06A8
描述 Igbt Power Transistor ModuleIGBT模块 IGBT-Modules分立半导体模块 100 Amps 600V
数据手册 ---
制造商 FUJI (富士电机) Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 - Screw Screw
引脚数 - 21 19
封装 - EconoPACK 3A E3
耗散功率 - 430 W 410000 mW
工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) - 40 ℃ -40 ℃
正向电压 - - 1.9 V
击穿电压(集电极-发射极) - - 600 V
输入电容(Cies) - - 4.3nF @25V
额定功率(Max) - - 410 W
耗散功率(Max) - - 410000 mW
长度 - 122 mm -
宽度 - 62 mm -
高度 - 17 mm -
封装 - EconoPACK 3A E3
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Active
包装方式 - - Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 - - -40℃ ~ 125℃ (TJ)