对比图
型号 MTB33N10E NTB6412ANT4G NTB6411ANT4G
描述 D2PAK N-CH 100V 33AN 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorN 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
引脚数 3 3 3
封装 D2PAK-263 TO-263-3 TO-263-3
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
极性 N-CH N-Channel N-Channel
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 33A 58.0 A 72.0 A
上升时间 164 ns 140 ns 144 ns
输入电容(Ciss) 1830pF @25V(Vds) 3500pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds)
下降时间 83 ns 126 ns 157 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2500 mW 167W (Tc) 217W (Tc)
无卤素状态 - - Halogen Free
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 14 mΩ
耗散功率 - 167 W 217 W
漏源击穿电压 - - 100 V
额定功率(Max) - 167 W 188 W
封装 D2PAK-263 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10.29 mm 10.29 mm
宽度 - 9.65 mm 9.65 mm
高度 - 4.83 mm 4.83 mm
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Rail Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)