K9F1G08U0D-SCB0和NAND01GW3B2AN6

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 K9F1G08U0D-SCB0 NAND01GW3B2AN6 S34ML01G200TFI003

描述 FLASH/K9F1G08U0D-SCB0 托盘1千兆, 2千兆, 2112字节/ 1056字页, 1.8V / 3V , NAND闪存 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash MemorySLC NAND Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8 48Pin TSOP-I T/R

数据手册 ---

制造商 Samsung (三星) ST Microelectronics (意法半导体) Spansion (飞索半导体)

分类 存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TSOP-48 TSOP-48 TSOP-48

引脚数 - 48 48

工作电压 2.7V ~ 3.6V - -

位数 - 8 -

存取时间(Max) - 25000 ns -

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - 40 ℃ -40 ℃

电源电压(Max) - 3.6 V -

电源电压(Min) - 2.7 V -

供电电流 - - 30 mA

封装 TSOP-48 TSOP-48 TSOP-48

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 - Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 - 40℃ ~ 85℃ -

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