SI4953ADY-T1-E3和SI4973DY-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI4953ADY-T1-E3 SI4973DY-T1-GE3 SI4953ADY

描述 MOSFET P-CH DUAL 30V 3.7A 8-SOICMOSFET 30V 7.6A 2W 23mohm @ 10VMOSFET 30V 4.9A 2W

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO

漏源极电阻 0.09 Ω - 90.0 mΩ

极性 Dual P-Channel - P-Channel

耗散功率 2.00 W - 2.00 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 4.90 A, -4.90 A - -3.70 A

额定功率(Max) 1.1 W 1.1 W -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.9 mm -

高度 - 1.75 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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