1N825A-1和JANS1N825-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N825A-1 JANS1N825-1 1N825

描述 6.2与6.55伏温度补偿6.2和6.55伏温度补偿 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated6.2与6.55伏温度补偿6.2和6.55伏温度补偿 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated集成温度补偿齐纳二极管参考CHIPS Monolithic Temperature Compensated Zener Reference Chips

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 功率二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 - 2

封装 DO-35 DO-35-2 DO-7

容差 - - ±5 %

耗散功率 0.5 W - 500 mW

测试电流 7.5 mA - 7.5 mA

稳压值 6.2 V - 6.2 V

额定功率(Max) - - 500 mW

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 500 mW - -

封装 DO-35 DO-35-2 DO-7

长度 - 5.08 mm -

工作温度 - - -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag - Bag

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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