对比图
型号 IXFK24N90Q IXFK26N90 IXFN27N80Q
描述 TO-264AA N-CH 900V 24ATO-264AA N-CH 900V 26AIXYS SEMICONDUCTOR IXFN27N80Q 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 27 A, 800 V, 320 mohm, 10 V, 4.5 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole -
封装 TO-264-3 TO-264-3 SOT-227-4
引脚数 - 3 4
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 500W (Tc) 560W (Tc) 520 W
漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 24A 26A 27.0 A
输入电容(Ciss) 5900pF @25V(Vds) 10800pF @25V(Vds) 7600pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 500W (Tc) 560W (Tc) 520W (Tc)
针脚数 - - 4
漏源极电阻 - - 0.32 Ω
阈值电压 - - 4.5 V
上升时间 - 35 ns 28 ns
隔离电压 - - 2.50 kV
额定功率(Max) - - 520 W
下降时间 - 24 ns 13 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
封装 TO-264-3 TO-264-3 SOT-227-4
长度 - - 38.2 mm
宽度 - - 25.07 mm
高度 - - 9.6 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
重量 - - 40.0 g
材质 - Silicon -
产品生命周期 Not Recommended Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15