1N4004和BAT85S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N4004 BAT85S

描述 1.0 AMPERE SILICON RECTIFIERS肖特基二极管 Schottky Barrier Diode

数据手册 --

制造商 Taitron Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

引脚数 - 2

封装 - DO-35

针脚数 - -

正向电流 - 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) - -

正向电压(Max) - -

工作温度(Max) - 125 ℃

额定电流 - 200 A

正向电压 - 800 mV

耗散功率 - 200 mW

反向恢复时间 - 5 ns

工作结温(Max) - 125 ℃

封装 - DO-35

长度 - 3.9 mm

工作温度 - -

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - -

REACH SVHC标准 - -

ECCN代码 - -

HTS代码 - -

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